高性能霍爾效應測量係統

高性能霍爾效應測量係統

一個集成的硬件和軟件係統，旨在測量和分析樣品的電子特性。 該係統設計提供了在高達 2.5 特斯拉的磁場下進行測量的可能性，並結合了低溫恒溫器，磁場高達 16T。 同時

，該係統提供了使用 2 個不同的溫度測量

頭在 3K-1273K 範圍內進行測量的機會
，同時它提供了與探頭係統相關的樣品的簡單組裝，可以在 3 個不同的軸上移動。 霍爾效應測量係統 （HEMS） 設備 對半導體、有機導體和金屬氧化物材料進行電氣表征。這

些采用納米技術方法開發的材料用於芯片技術的發展、太陽能電池的開發
、材料科學的發展、空間技術、等多領域工業發展。

技術參數

載波移動性：10⁻¹ 至 10⁷ cm²/Vsec

載流體濃度：高達 10²²/cm³

電阻率：10⁻⁵ 至 10⁹ 歐姆 cm

低溫 AC-DC 測量和表征

靜態插入

• 6 個霍爾效應觸點，4 個範德堡測量觸點

• 樣品尺寸：更大 10mm x 10mm

• 多達 12 個觸點進行采樣

• 29 mm 外徑樣品插件（其他尺寸可選）

• 25 個備用樣品架

• 測量電子元件和控製軟件

• 溫度範圍：1-300K

旋轉插件（垂直和水平旋轉器）

• 旋轉：00-3600
，分辨率為 0.016

• 樣品尺寸：更大 5mm x 10mm

• 多達 12 個觸點進行采樣

• 29 mm 外徑樣品插件（其他尺寸可選）

• 25 個備用樣品架

• 測量電子元件和控製軟件

• 溫度範圍：1—300K

• KF50 或 KF40 法蘭選項

直流電阻/霍爾效應測量

• 源電流編程範圍：50pA 至 IA •

• 電壓測量範圍：100mV（100nV 分辨率）至 100V（IOpV 分辨率）

• 溫度範圍：1-300K

交流電阻/霍爾效應測量

• 源電流編程範圍：2nA 至 100mA *

• 頻率範圍：IHz 至 1kHz

• 阻抗 Z（T） 的實部和虛部

• 電壓噪聲（帶低噪聲電壓前置放大器）：lnVNHz 本底噪聲
，1kHz，60dB 增益

交流磁化率測量

• 樣品尺寸：更大直徑 5 mm

• 交流頻率範圍：IOHz 至 10kHz

• 交流場振幅範圍：2mOe 至 150e

• 靈敏度：2 x 10-7 emu（10kHz 時 2 x 10 IOAm2）

• 磁化率的實部和虛部 （T）

• 包括樣品台校準的傳感器/拾取線圈

• 測量電子元件和控製軟件

• 溫度範圍：1-300K

這款霍爾效應測量係統的真正優勢在於它將極端條件下的測量能力、超高的測量靈敏度與完整的表征模式集於一身，為研究人員提供了：揭示材料本征特性的能力、探索量子現象的平台
、加速新材料發現的工具、連接

基礎研究與應用的橋梁
，該係統不僅是一台測量儀器

，更是凝聚態物理、材料科學和器件工程研究的綜合實驗平台，特別適合國家實驗室
、研究型大學和高科技企業的前沿材料研發團隊。