深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級

、界麵態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能

級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有極高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界麵態。通過對樣

品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶範圍內的雜質、缺陷深能級及界麵態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。Semetrol DLTS集成多種自動的測量模式及完整的數據分析
，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的

分布，也可用於光伏太陽能電池領域中

，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位
，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界麵態速度快
，精度高，是生產和科研中

可廣為應用的測試技術。

主要特點 :

• 自動連線檢測，

• 自動電容補償功能，

• 探測靈敏度高
，

• 瞬態電流測量
，

• 深能級瞬態譜分析，

應用領域 :

•檢測Si

、ZnO、GaN等半導體材料中微量雜質、缺陷的深能級及界麵態。

Semetrol DLTS係統配置:

- 脈衝發生器

電壓範圍： ±10 V (±102 V opt.)，

脈衝寬度：1 µs - 1000 s，

- 電容測量

高頻信號:    50KHz，

電容範圍 ：1pF-100nF
，

靈敏度：1 fF，

-電壓測量：

範圍 ±10 V
，

靈敏度 < 1 µV，

溫度範圍：30K~700K，

電阻範圍：0.1 mOhm - 10 GOhm
，

多種測量模式可選：

C-DLTS（電容模式），

O-DLTS （光激發模式），

I-DLTS （電流模式），

DD-DLTS （雙關聯模式），

Zerbst-DLTS （Zerbst模式），

FET-Analysis （FET分析）
，

MOS-Analysis （MOS分析），

ITS (等溫瞬態譜)
，

Trap profiling，

CCSM（俘獲截麵測量），

I/V,I/V(T) （查理森Plot分析），

C/V, C/V(T)，

TSC/TSCAP
，

PITS (光子誘導瞬態譜)
，

DLOS (特殊係統）。

Semetrol DLTS係統的主要優勢在於它將實驗室級別的超高靈敏度缺陷分析能力與工業化應用的自動化、可靠性要求完美結合,主要體現在：飛法級電容分辨率、萬分之一濃度靈敏度，滿足前沿半導體物理研究需求，全

自動操作、duozhongfenximoshi

，shihegongyikaifahechanpinguzhangfenxi
，danyipingtaijikewanchengcongjichuquexianbiaozhengdaofuzaqijianfenxidequantaoceliang
，congchuantongguijibandaotidaodisandaikuanjindaibandaotiquanfugai。keyunyongyu：快速評估新材料中的本征缺陷

與雜質行為，優化半導體製造工藝

，減少缺陷引入，定位導致器件性能退化的缺陷來源，建立半導體材料的缺陷檢測標準，該DLTS係統不僅是缺陷分析的“顯微鏡”，更是連接材料特性-工藝參數-器件性能的關鍵診斷工

具
，特別適合半導體製造企業、研究機構和高校實驗室中從事材料研發
、工藝優化和可靠性研究的團隊使用。