RIE，全稱是Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕，是一種微電子幹法腐蝕工藝。

RIE是幹蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是

，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF

，radio frequency）時會產生數百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應

蝕刻
，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。因(yin)此(ci)為(wei)了(le)得(de)到(dao)高(gao)速(su)而(er)垂(chui)直(zhi)的(de)蝕(shi)刻(ke)麵(mian)，經(jing)加(jia)速(su)的(de)多(duo)數(shu)離(li)子(zi)不(bu)能(neng)與(yu)其(qi)他(ta)氣(qi)體(ti)分(fen)子(zi)等(deng)碰(peng)撞(zhuang)，而(er)直(zhi)接(jie)向(xiang)試(shi)樣(yang)撞(zhuang)擊(ji)。為(wei)達(da)到(dao)此(ci)目(mu)的(de)
，必(bi)須(xu)對(dui)真(zhen)空(kong)度(du)，氣(qi)體(ti)流(liu)量(liang)，離(li)子(zi)加(jia)速(su)電(dian)壓(ya)等(deng)進(jin)行(xing)更(geng)

佳調整，同時
，為得到高密度的等離子體
，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力。

我司提供多型號的RIE刻蝕係統，滿足國內客戶研究和生產的需要。

深反應離子蝕刻係統(Deep Reactive Ion Etching System)

RE係列反應離子蝕刻係統帶有淋浴頭式樣的氣體分配係統及水冷射頻壓盤，櫃體為不鏽鋼材質。反應腔體為13英寸鋁製、從頂端打開方便晶片裝載取出，更大可進行8英寸直徑樣品實驗，帶有兩個艙門：一個艙門帶有

2英寸視窗
，另一個艙門用於終點探測及其他診斷。腔體可達到10-6 Torr壓力或更高，自直流偏置連續監控、更大可達到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應離子蝕刻係統為完全由計算機控製的全自動設備。

DRIE係列深反應離子蝕刻係統帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤
，設備使用2kw 8英寸ICP源
，使用500L/秒的渦輪泵
，在10-3Torr壓力範圍運行。

RIE 設備參數:

鋁材腔體或不鏽鋼腔體；

不鏽鋼盒
；

可以刻蝕矽化物(~400 Å /min)或金屬；

典型矽刻蝕速率 400 Å /min；

射頻源: 更大12”陽極化射頻平板(RF)；

真空度:大約20分鍾內達到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr；

雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕；

氣動升降蓋
；

手動/全自動裝卸樣品

；

預抽真空室；

電腦控製

選配ICp源和平台的低溫冷卻實現深矽刻蝕。

反應離子蝕刻係統可選配：

1. 更高700W的高密度等離子源進行各向同性蝕刻(isotropic etching)
；

2. ICP等離子源，2KW射頻電源及調諧器；

3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling)；

4. 終點探測(End point detection)


；

5. 蘭繆爾探針
；

6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck)；

7. 附加MFC’s
；

8. 1KW射頻電流源及調諧器
；

9. 低頻電流源及調諧器
；