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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~PVD Products 公司提供卷對卷塗層導體 IBAD 沉積係統，用於金屬帶上生長 MgO 或其他類型的緩衝層。利用我們現有的內部技術，我們可以提供以下兩種類型的IBAD係統用於MgO的沉積。 PVD
Products公司已部署多套卷對卷離子束輔助沉積係統。這些係統已被用於在寬度為4至12毫米的哈斯特洛伊合金或不鏽鋼帶上沉積高度取向的氧化鎂（MgO）薄膜。利用配備6 x 22厘米柵格的Veeco
線性離子源，可以以100米/小時的速度沉積高質量材料。若使用6 x 66厘米柵格，則速度可提高3倍。為實現高吞吐量，采用了多通道卷筒處理技術，同時控製帶速和張力。
經過現場驗證的濺射離子束輔助沉積（IBAD）工具，用於製備具有特定紋理的氧化鎂（MgO），以便後續沉積稀土錳氧化物（LMO）和釔鋇銅氧（YBCO）。該工具采用穩健的射頻濺射技術，並配備
在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED）分析工具。
離子束輔助沉積（IBAD）對於高溫超導（HTS）材料和緩衝層的沉積至關重要。PVD產品提供完整的IBAD解決方案，結合蒸發或濺射源與低能離子束轟擊，實現雙軸紋理的顯現。
我們的IBAD-MgO技術比3° FWHM更優，具備可調諧離子束能量（100-1500 eV）和入射角（40-55°）以實現優異的紋理演化。
該工藝使得HTS沉積在低成本的柔性金屬基板上，消除了昂貴的單晶或RABiTS基板，同時保持了高性能。
技術優勢：
異的織構控製：IBAD-MgO技術可實現優於3° FWHM的薄膜取向度。係統配備可調諧離子源（能量100-1500 eV，入射角40-55°），可精確優化工藝參數以獲得優異的雙軸織構演化。
穩健的濺射技術：采用經過驗證的射頻（RF）濺射技術沉積MgO薄膜，工藝穩定可靠。
在線質量監控：係統集成了在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED）分析工具，可在沉積過程中實時監測MgO薄膜的表麵結構和織構形成，為工藝控製和重複性提供保障。
低成本金屬基帶：專為在柔性哈氏合金等金屬基帶上連續沉積設計，無需使用昂貴的單晶基板，明顯降低超導帶材的製造成本。
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 儀器種類 | 磁控濺射鍍膜機（IBAD） |
| 基片尺寸 | 12 mm 寬，可長達 1000 米 |
| 靶材 | 氧化鎂（MgO）靶材，尺寸：850 mm（長）x 300 mm（寬）x 6.3 mm（厚） |
| 離子源 | Veeco 22 x 6 cm 線性RF離子源（2台），束電壓50-1500 eV，束電流350 mA |
| 在線分析 | 在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED） |
| 極限真空 | 5 x 10⁻⁷ Torr |
| 成膜均勻性 | ≤ 5% |
| 基片溫度 | 水冷（常溫） |
| 係統組成 | 多腔室卷對卷係統（放線/沉積/RHEED/收線室）、支撐架、集成電子機櫃 |
係統布局
•支撐架上有多個真空室。包括放線室、沉積室、RHEED室和收線室
•腔室組件將安裝在帶有腳輪和調平墊的大型支撐架上
•電子機架將內置在機架中
•兩個卷軸室
•沉積室
•RHEED分析室將放置在沉積室之後和卷取卷軸之前
卷筒提升機構：
•四套卷軸可容納12毫米寬的膠帶，該係統可容納客戶提供的哈氏合金膠帶
•這些卷筒的內徑為90毫米，外徑為432毫米。
•該係統將包括一個機械升降機，該升降機由一個改良的手動絞車起重車組成。
•其設計用於固定給定直徑的膠帶卷軸，並允許用戶將整卷膠帶插入放線卷軸室的主軸上。
•它還被設計用於從卷取室中移除卷軸。
•這使得卷軸從工作台轉移到係統變得很容易，因為不需要重型頭頂提升。
主沉積室和框架組件：
•IBAD沉積室將通過10“CF法蘭直接與放線室相匹配。
•兩個腔室之間沒有隔離閥。
•該室將由304 SS製成，包括一個帶氟橡膠O形密封圈的大型鉸鏈門。
•該室寬約1.39 m，深約1.1 m，高約0.857 mm。
•該室將包括多個端口，以支持兩個22 x 6 cm的線性RF離子源、一個水冷靶台和一個水冷襯底台。
•提供了各種CF法蘭端口，用於查看、真空泵送、真空計等。
•將提供幾個備用端口。
•所有CF法蘭式端口均配有公製鍍銀螺紋螺栓。
•可拆卸的鋁製檢修板安裝在腔室的後壁上，以便在需要時為離子源提供方便的服務。該板通過一個氟橡膠O形圈和幾個螺栓進行密封。
•腔室將通過粉末塗層CRS支撐框架進行支撐，該框架配有腳輪和調平墊。
•框架將包括電子支架，用於支撐包括配電箱在內的所有係統電子設備。
Veeco 22 x 6 cm RF離子源，用於離子束濺射：
•Veeco 22 x 6 cm射頻離子源將通過一對支架安裝在腔室的上後壁附近。
•支架將能夠將離子源相對於目標法線的入射角（AoI）以標稱角度45°為中心調整±2°。
•目標傾斜角分辨率為1°。
•該離子源將配備一組三個會聚的Mo柵格，用於向目標提供更高的束流。
•離子源柵格的焦距為18厘米。
•不提供用於將光束移動得更靠近目標或更遠離目標的調整。
•離子源包括一個單獨的法蘭安裝的射頻中和器。
•將提供針對20 SCCM Ar校準的MKS 1179 MFC，以根據需要運行離子源。
•將提供一個針對20 SCCM Ar校準的MKS 1179 MFC，以運行RF中和器。
•所有MFC都包括氣動截止閥。
•Veeco NOVUS電源將配備所有必要的電纜。NOVUS將操作射頻離子源和射頻中和器。包括一個射頻電源、匹配網絡和控製器。
•電源提供50至1500eV的束電壓，束電流高達350mA。
•包括氣體注入、射頻激勵和水冷卻所需的所有饋通。
•離子源內部設施可從腔室後壁上的可拆卸麵板進入。
•離子源將向下引導到Mg靶的中心，結合到Cu水冷板（由客戶提供的靶）上。
本係統主要應用於高溫超導（HTS）帶材的研發與中試生產，特別是用於在柔性金屬基帶上沉積具備雙軸織構的緩衝層（如MgO、LMO），為後續YBCO超導層的沉積提供模板。這項技術是製造第二代高溫超導帶材
（塗層導體）的重要環節。
高溫超導帶材離子束輔助沉積係統（IBAD）
PVD Products 公司提供卷對卷塗層導體 IBAD 沉積係統，用於金屬帶上生長 MgO 或其他類型的緩衝層。利用我們現有的內部技術，我們可以提供以下兩種類型的IBAD係統用於MgO的沉積。 PVD
Products公司已部署多套卷對卷離子束輔助沉積係統。這些係統已被用於在寬度為4至12毫米的哈斯特洛伊合金或不鏽鋼帶上沉積高度取向的氧化鎂（MgO）薄膜。利用配備6 x 22厘米柵格的Veeco
線性離子源，可以以100米/小時的速度沉積高質量材料。若使用6 x 66厘米柵格，則速度可提高3倍。為實現高吞吐量，采用了多通道卷筒處理技術，同時控製帶速和張力。
經過現場驗證的濺射離子束輔助沉積（IBAD）工具，用於製備具有特定紋理的氧化鎂（MgO），以便後續沉積稀土錳氧化物（LMO）和釔鋇銅氧（YBCO）。該工具采用穩健的射頻濺射技術，並配備
在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED）分析工具。
離子束輔助沉積（IBAD）對於高溫超導（HTS）材料和緩衝層的沉積至關重要。PVD產品提供完整的IBAD解決方案，結合蒸發或濺射源與低能離子束轟擊，實現雙軸紋理的顯現。
我們的IBAD-MgO技術比3° FWHM更優，具備可調諧離子束能量（100-1500 eV）和入射角（40-55°）以實現優異的紋理演化。
該工藝使得HTS沉積在低成本的柔性金屬基板上，消除了昂貴的單晶或RABiTS基板，同時保持了高性能。
技術優勢：
異的織構控製：IBAD-MgO技術可實現優於3° FWHM的薄膜取向度。係統配備可調諧離子源（能量100-1500 eV，入射角40-55°），可精確優化工藝參數以獲得優異的雙軸織構演化。
穩健的濺射技術：采用經過驗證的射頻（RF）濺射技術沉積MgO薄膜，工藝穩定可靠。
在線質量監控：係統集成了在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED）分析工具，可在沉積過程中實時監測MgO薄膜的表麵結構和織構形成，為工藝控製和重複性提供保障。
低成本金屬基帶：專為在柔性哈氏合金等金屬基帶上連續沉積設計，無需使用昂貴的單晶基板，明顯降低超導帶材的製造成本。
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 儀器種類 | 磁控濺射鍍膜機（IBAD） |
| 基片尺寸 | 12 mm 寬，可長達 1000 米 |
| 靶材 | 氧化鎂（MgO）靶材，尺寸：850 mm（長）x 300 mm（寬）x 6.3 mm（厚） |
| 離子源 | Veeco 22 x 6 cm 線性RF離子源（2台），束電壓50-1500 eV，束電流350 mA |
| 在線分析 | 在線沉積後反射高能電子衍射（RHEED） |
| 極限真空 | 5 x 10⁻⁷ Torr |
| 成膜均勻性 | ≤ 5% |
| 基片溫度 | 水冷（常溫） |
| 係統組成 | 多腔室卷對卷係統（放線/沉積/RHEED/收線室）、支撐架、集成電子機櫃 |
係統布局
•支撐架上有多個真空室。包括放線室、沉積室、RHEED室和收線室
•腔室組件將安裝在帶有腳輪和調平墊的大型支撐架上
•電子機架將內置在機架中
•兩個卷軸室
•沉積室
•RHEED分析室將放置在沉積室之後和卷取卷軸之前
卷筒提升機構：
•四套卷軸可容納12毫米寬的膠帶，該係統可容納客戶提供的哈氏合金膠帶
•這些卷筒的內徑為90毫米，外徑為432毫米。
•該係統將包括一個機械升降機，該升降機由一個改良的手動絞車起重車組成。
•其設計用於固定給定直徑的膠帶卷軸，並允許用戶將整卷膠帶插入放線卷軸室的主軸上。
•它還被設計用於從卷取室中移除卷軸。
•這使得卷軸從工作台轉移到係統變得很容易，因為不需要重型頭頂提升。
主沉積室和框架組件：
•IBAD沉積室將通過10“CF法蘭直接與放線室相匹配。
•兩個腔室之間沒有隔離閥。
•該室將由304 SS製成，包括一個帶氟橡膠O形密封圈的大型鉸鏈門。
•該室寬約1.39 m，深約1.1 m，高約0.857 mm。
•該室將包括多個端口，以支持兩個22 x 6 cm的線性RF離子源、一個水冷靶台和一個水冷襯底台。
•提供了各種CF法蘭端口，用於查看、真空泵送、真空計等。
•將提供幾個備用端口。
•所有CF法蘭式端口均配有公製鍍銀螺紋螺栓。
•可拆卸的鋁製檢修板安裝在腔室的後壁上，以便在需要時為離子源提供方便的服務。該板通過一個氟橡膠O形圈和幾個螺栓進行密封。
•腔室將通過粉末塗層CRS支撐框架進行支撐，該框架配有腳輪和調平墊。
•框架將包括電子支架，用於支撐包括配電箱在內的所有係統電子設備。
Veeco 22 x 6 cm RF離子源，用於離子束濺射：
•Veeco 22 x 6 cm射頻離子源將通過一對支架安裝在腔室的上後壁附近。
•支架將能夠將離子源相對於目標法線的入射角（AoI）以標稱角度45°為中心調整±2°。
•目標傾斜角分辨率為1°。
•該離子源將配備一組三個會聚的Mo柵格，用於向目標提供更高的束流。
•離子源柵格的焦距為18厘米。
•不提供用於將光束移動得更靠近目標或更遠離目標的調整。
•離子源包括一個單獨的法蘭安裝的射頻中和器。
•將提供針對20 SCCM Ar校準的MKS 1179 MFC，以根據需要運行離子源。
•將提供一個針對20 SCCM Ar校準的MKS 1179 MFC，以運行RF中和器。
•所有MFC都包括氣動截止閥。
•Veeco NOVUS電源將配備所有必要的電纜。NOVUS將操作射頻離子源和射頻中和器。包括一個射頻電源、匹配網絡和控製器。
•電源提供50至1500eV的束電壓，束電流高達350mA。
•包括氣體注入、射頻激勵和水冷卻所需的所有饋通。
•離子源內部設施可從腔室後壁上的可拆卸麵板進入。
•離子源將向下引導到Mg靶的中心，結合到Cu水冷板（由客戶提供的靶）上。
本係統主要應用於高溫超導（HTS）帶材的研發與中試生產，特別是用於在柔性金屬基帶上沉積具備雙軸織構的緩衝層（如MgO、LMO），為後續YBCO超導層的沉積提供模板。這項技術是製造第二代高溫超導帶材
（塗層導體）的重要環節。
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