專注於用於高溫超導（HTS）帶材生產的卷對卷（R2R）係統。我們的綜合產品包括脈衝激光沉積（PLD）

、磁控濺射、離子束輔助沉積（IBAD）以及專為YBCO和REBCO超導體製造設計的蒸發係統。 憑借數十年的薄膜

沉積技術專業知識，我們提供緩衝層沉積、外延生長和HTS薄膜製造的完整交鑰匙解決方案。我們的係統支持研發規模開發和大批量生產環境
，服務於全球優異的超導體製造商、國家實驗室和研究機構。

特點與優勢：

1. 優異的工藝精度與控製能力

• 高精度溫度控製：配備7區單獨溫控的SiC加熱係統
  ，基帶表麵溫度可達900℃
  ，確保外延生長的高質量與一致性。

• 穩定的張力與速度控製：閉環控製帶材張力與傳輸速度，在40–60米/小時工藝區間內速度精度可達±1米/小時
  ，保障長帶材沉積的均勻性。

• 靈活的靶材與羽流管理：雙10英寸靶材配置，支持擺動與定位編程，結合多羽流沉積能力，實現複雜成分與多層結構的高效沉積。

2. 可靠的量產級工程設計

• 高真空與潔淨環境：腔體采用鏡麵拋光不鏽鋼，極限真空達5×10⁻⁷ Torr，配備1400 L/s大抽速分子泵組
  ，確保工藝環境純淨。

• 強化的熱管理與可靠性：全水冷腔體設計
  、水冷靶材保護板及加熱器背板冷卻，保障係統長時間連續穩定運行。

• 模塊化與可擴展性：係統支持與磁控濺射、IBAD、蒸發等多種沉積模塊集成，提供從緩衝層到超導層的完整交鑰匙解決方案。

3. 智能化自動化操作

• 全計算機集成控製：通過中心控製軟件實現沉積流程
  、溫度、速度、真空、氣體的全自動控製與監控。

• 安全的程序化邏輯：具備定時
  、定長自動停車功能
  ，集成激光快門、溫度聯鎖等多重安全保護。

• 便捷的維護與調整：靶材距離手動可調，帶材間距通過標準墊圈快速更換（1/1.5/2 mm可選），維護窗口設計合理。

4. 優異的性價比與生產柔性

• 優化的靶材利用率：靶材可旋轉與擺動，提升利用率
  ，降低耗材成本。

• 適應多種帶寬：兼容12 mm寬基帶，通過多帶並行設計（可5條）提高單次生產吞吐量。

• 兼顧研發與生產：係統既可滿足工藝開發的高精度要求，也能支持高達500米/小時的高速量產模式。

提供多種高溫超導帶材PLD沉積係統。主要包括以下內容：

用於REBCO和緩衝層的PLD沉積係統，多重傳遞係統
，黑體基材加熱器，閉環張力與速度控製，多羽流能力，多區加熱器。

主要用於以卷繞方式在百米級別金屬基帶上沉積REBCO塗層導體，此設備由一個帶左右卷軸室
、中心沉積室的脈衝激光沉積（PLD）係統組成。不包括激光設備（準分子激光器）和光學箱。加熱溫度範圍為150 mm x 5個

膠帶（64 mm至68 mm
，取決於膠帶間距）。膠帶寬度為12mm。

技術規格：

沉積室

1單腔室

沉積室容器：H1100 mm x W 1200 mm x D600 mm（±5 mm）

圓柱形卷筒室容器：直徑750 mm x D500 mm（對稱
，±5 mm）

以上尺寸不包括光學側、控製台等。

1）材質：不鏽鋼（SUS304）


，表麵拋光（鏡麵拋光）

2）冷卻水路：沉積室的頂部、底部、前側和後側。

3）沉積室端口

頂部：ICF253
、ICF114、ICF70和ISO-F

，用於安裝主泵
、旁路泵、電氣線路
、熱電偶等。

兩側：ICF152用於觀察窗口。

正麵：一個帶手動快門的ICF152觀察窗口

4） 卷筒室端口

兩側：ICF152用於觀察窗口

背麵：卷軸接入法蘭、編碼器接入法蘭，

2 基板加熱器部件

1）基帶表麵溫度：900℃

2）SiC加熱器形狀；

U形圓棒形狀；

兩端均與電極端子相連；

加熱器使用5個長加熱器和4個短加熱器。

3）加熱背板：水冷卻。

4）基帶-靶材距離：45mm-100mm

基帶-靶材距離調整方式：打開腔室門，手動操作沉積室頂部的手柄進行上下調整。

5）溫度控製器：至少包含7個溫度控製部分。

6）下側轉向輥：一側有5個輪子。

• 直徑150mm；

• 對基帶的接觸麵進行電拋光，以提高平整度；

• 基帶間距：1mm（單麵法蘭）
  
  ；

• 基帶之間的基本間距為1毫米，但通過更換安裝在每個卷軸和輥子支架上的間隔環，間距可以改為1.5毫米或2毫米。這些1.5mm和2mm的間隔環已連接；

• 該輥與基帶加熱機構集成在一起
  ，一起上下移動。

8）上側轉向輥，帶輔助驅動：單側有4個輪子。

與上述相同
，對基帶的接觸麵進行電拋光。

伺服電機安裝在腔室後部大氣側的左右兩側。伺服電機的旋轉力可以通過鎖定單側的任何一個滾輪傳遞。

3 靶材部件

1）靶材尺寸：直徑10英寸

2）靶材數量：2個

3）靶材夾具的設計：一個放置靶材的板和一個安裝在底部的U形夾具。

4）靶材轉速：速度控製電機

5）靶材定位：伺服電機。程序可以移動靶材以擺動並設置更換位置。靶材擺動程序可以從中心對稱擺動到兩端。也可以非對稱地進行設置。

6）靶材保護板：靶材上的水冷板。可調激光輸入狹縫板，四個方向的孔徑調整範圍。

4 卷對卷部件

1）卷筒直徑：外徑420mm（有效卷繞直徑400mm）

內徑：100mm

2）帶材移動：左右卷軸機製相同

帶材速度由編碼器讀數控製。

3）帶材移動速度：500米/小時

在40-60m/h的速度下

，精度提高到+/-1米/小時。

4）帶材張力：卷繞側為大張力值。

另一側設定較低的張力值，保持張力進行剝離。

5）張力監測器：在5轉輥的左端和右端
，設定的張力值反饋給卷軸驅動器中的離合器。

5 工藝氣體和真空泵組

1）工藝氣體：氧氣，2路，2個 MFC（500sccm）。

2）排氣管線：氮氣或直接從大氣引入

3）基壓：5x10-7Torr

4）分子泵:1400L/s（軸承型）

5）旋轉泵：1083L/min

6）泵管道：具有以下3條管道，根據情況切換。

• 主泵管道：氣動開/關閘閥
  ，使用與分子泵相同的ICF253閘閥。

• 工藝泵管道（旁路）：壓力控製蝶閥

• 粗泵管道，該管道從大氣壓力開始。

7）真空計：用於過程控製壓力的電容式壓力計 （133Pa/1Torr 範圍）

電容壓力計
，用於工藝控製壓力（133Pa/1Torr範圍）

全量程壓力計
，用於從大氣到基壓。

熱電偶壓力計，用於粗泵管道。

6 控製支架

1）該係統需要兩個控製架。主要是加熱器電源單元。

2）一個PC控製

3）定時程序：可以設置時間或帶材長度，並在以下功能自動停止時進行控製：

• 關閉激光器

• 為安全停止而降低基片加熱

• 停止氧氣流量

7 激光光學係統

1）帶窗聚焦透鏡

透鏡尺寸：直徑140mm


，曲率半徑R=760mm。

聚焦透鏡也用作真空和大氣之間的密封窗口。

窗口的位置可調節範圍為+/- 50mm。

有效內徑為120mm。

包括4個備用透鏡。

2）係統包括兩個激光掃描光學元件。

與308nm波長（XeCl）相對應的掃描鏡。

3）掃描鏡安裝支架

雙軸α、β軸旋轉台。

4）光學盒

材質：鋁和亞克力。

在光學接入側設有聯鎖麵板。

5）激光快門

位於激光器前麵的氣動快門。

6）反射接收板：用於接收激光的反射

7）激光光束高度：1400mm

我們不僅提供一台設備，更提供從工藝理解
、係統設計、安裝調試到持續支持的全價值鏈服務。我們的係統已在全球超導企業、國家實驗室和研究機構穩定運行，見證了從米級短樣到公裏級長帶的產業突破。