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濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)
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濕法晶片卡盤是一種專門用於濕法刻蝕、電(dian)沉(chen)積(ji)等(deng)工(gong)藝(yi)的(de)精(jing)密(mi)夾(jia)具(ju),其(qi)功(gong)能(neng)是(shi)保(bao)護(hu)晶(jing)片(pian)背(bei)麵(mian)免(mian)受(shou)蝕(shi)刻(ke)劑(ji)攻(gong)擊(ji)。當(dang)整(zheng)片(pian)晶(jing)圓(yuan)浸(jin)入(ru)液(ye)體(ti)蝕(shi)刻(ke)劑(ji)時(shi),傳(chuan)統(tong)工(gong)藝(yi)往(wang)往(wang)會(hui)導(dao)致(zhi)背(bei)麵(mian)非(fei)目(mu)標(biao)區(qu)域(yu)被(bei)腐(fu)蝕(shi),而(er)本(ben)卡(ka)盤(pan)通(tong)過(guo)精(jing)密(mi)密(mi)封(feng)設(she)計(ji),隻(zhi)暴(bao)露(lu)晶(jing)片(pian)正(zheng)麵(mian),使(shi)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)能(neng)夠(gou)刻(ke)蝕(shi)深(shen)結(jie)構(gou)而(er)無(wu)需(xu)在(zai)背(bei)麵(mian)製(zhi)作(zuo)掩(yan)模(mo),極(ji)大(da)簡(jian)化(hua)了(le)工(gong)藝(yi)流(liu)程(cheng)。產(chan)品(pin)支(zhi)持(chi)從(cong)2英寸到200mm的標準晶圓,並可定製單芯片卡盤,滿足研發與小批量生產的多樣化需求。
產品詳情

zaiyetishikejizhongshikejingpianshejizhenggejingpianyushikejijiechu。womendeshichulijingpiankapankeyibaohujingpiandebeimianmianshougongji。tongguozhezhongfangshi,keyishikeshenjiegou,erbuxuyaoyanmobeimian。keyizhizaorenhejingpianchicundekapanyijidanxinpiankapan。 產

品描述 kapanyoujingpianjiachiqihejiajinhuanzucheng。jingpianfangzhizaijiachiqishang,youjiajinhuanguding,jiajinhuanningzaikapanshang。sangejingmimifengquanquebaojingpiandefangloujiajin。jiachiqizhongyonghudingyideaocaohendaxiandudijianshaolejiajinjingpianshangdeyingli。 卡盤由PEEK

製成,PEEK能夠抵抗微細加工中使用的大多數蝕刻溶液(HF、KOH、TMAH)。 對於薄膜的製造,可以添加通風管,將卡盤中的封閉空氣連接到大氣壓。如果蝕刻溶液被加熱,強烈建議這樣做。

濕蝕刻或電沉積過程中用於背麵保護的濕處理晶片卡盤:我們為直徑在2英寸至200毫米之間、厚度在所需範圍內的晶片製造卡盤。可以根據要求製造定製卡盤。可以製造用於KOH和HF蝕刻以及浸入其他化學物質的

卡盤。帶有集成環形電極的卡盤可以在電鍍過程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據您的需求設計用於多個濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數載體的設計都是為了完

全適合我們客戶的

蝕刻設備。

下麵,我們列出了濕法蝕刻微細加工工藝中使用的一些標準化學品,這些化學品與WPWC兼容:

HF(氫氟酸)

KOH(氫氧化鉀)

TMAH(四甲基氫氧化銨)

產品代碼:WPWC

晶圓尺寸:2英寸至200毫米,可定製尺寸

蝕刻劑兼容性:HF、KOH、TMAH,可根據要求提供其他化學品

材料與規格:

支架:PEEK

夾緊環:PEEK

螺釘:PEEK

密封:取決於使用的化學品

內部尺寸(mm)

密封圈厚度:1.78

建議邊緣排除:5

外形尺寸(mm)

直徑晶圓尺寸:+40

厚度:25

螺釘:M6

晶圓厚度公差(µm):晶圓厚度+/-80

溫度範圍:5至150攝氏度

優勢:

  • 省去背麵膜:直接物理密封,簡化工藝流程

  • 保護深結構刻蝕:即使長時間浸泡,背麵依然完好

  • 耐強酸堿:PEEK材質兼容嚴苛的蝕刻環境

  • 定製無憂:從單芯片到200mm,從常溫到150°C,從刻蝕到電鍍,按需設計

  • 密封可靠:三圈精密密封圈,杜絕漏液風險




濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)
濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)
濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)
濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)

濕法晶圓卡盤(電鍍晶圓卡盤)

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產品詳情

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品描述 kapanyoujingpianjiachiqihejiajinhuanzucheng。jingpianfangzhizaijiachiqishang,youjiajinhuanguding,jiajinhuanningzaikapanshang。sangejingmimifengquanquebaojingpiandefangloujiajin。jiachiqizhongyonghudingyideaocaohendaxiandudijianshaolejiajinjingpianshangdeyingli。 卡盤由PEEK

製成,PEEK能夠抵抗微細加工中使用的大多數蝕刻溶液(HF、KOH、TMAH)。 對於薄膜的製造,可以添加通風管,將卡盤中的封閉空氣連接到大氣壓。如果蝕刻溶液被加熱,強烈建議這樣做。

濕蝕刻或電沉積過程中用於背麵保護的濕處理晶片卡盤:我們為直徑在2英寸至200毫米之間、厚度在所需範圍內的晶片製造卡盤。可以根據要求製造定製卡盤。可以製造用於KOH和HF蝕刻以及浸入其他化學物質的

卡盤。帶有集成環形電極的卡盤可以在電鍍過程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據您的需求設計用於多個濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數載體的設計都是為了完

全適合我們客戶的

蝕刻設備。

下麵,我們列出了濕法蝕刻微細加工工藝中使用的一些標準化學品,這些化學品與WPWC兼容:

HF(氫氟酸)

KOH(氫氧化鉀)

TMAH(四甲基氫氧化銨)

產品代碼:WPWC

晶圓尺寸:2英寸至200毫米,可定製尺寸

蝕刻劑兼容性:HF、KOH、TMAH,可根據要求提供其他化學品

材料與規格:

支架:PEEK

夾緊環:PEEK

螺釘:PEEK

密封:取決於使用的化學品

內部尺寸(mm)

密封圈厚度:1.78

建議邊緣排除:5

外形尺寸(mm)

直徑晶圓尺寸:+40

厚度:25

螺釘:M6

晶圓厚度公差(µm):晶圓厚度+/-80

溫度範圍:5至150攝氏度

優勢:

  • 省去背麵膜:直接物理密封,簡化工藝流程

  • 保護深結構刻蝕:即使長時間浸泡,背麵依然完好

  • 耐強酸堿:PEEK材質兼容嚴苛的蝕刻環境

  • 定製無憂:從單芯片到200mm,從常溫到150°C,從刻蝕到電鍍,按需設計

  • 密封可靠:三圈精密密封圈,杜絕漏液風險




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