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我司提供等離子體源是通過將氣體分離來產生感應耦合等離子體,包括氮氣,氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個射頻線圈(頻率13.56MHz),能量將轉化為等離子體,這會產生具有較低離子能量的”軟”等離子體。電子束蒸發源是由高質量,完全與高真空兼容材料構成,並且可以烘烤至250℃。
| 應用領域 | 典型工藝 | 適用氣體 |
|---|---|---|
| 氧化物沉積 | Al₂O₃, SiO₂, TiO₂ 等 | O₂, O₂/Ar 混合氣 |
| 氮化物沉積 | Si₃N₄, TiN, AlN 等 | N₂, N₂/Ar 混合氣 |
| 摻雜工藝 | 半導體摻雜、表麵改性 | H₂, B₂H₆, PH₃ 等 |
| 表麵處理 | 清洗、活化、刻蝕 | O₂, H₂, Ar 等 |
配置參數:
多種型號不同功率RF等粒離子體源可選;
在等離子體源終端位置可添加離子束加熱器;
自動匹配網絡;
等粒子體監測;
手動/自動 擋板;
放電管;
適用氣體,如O2, N2, H2, CH4等;
占用空間小;
冷卻水流量低;
氣體流速可控。
特點與優勢:
1. 等離子體源選項
多種功率型號:不同功率的RF等離子體源可選,滿足從研發到生產的各類需求
離子束加熱器:可在等離子體源終端位置加裝,提升基片溫度控製能力
2. 控製係統
自動匹配網絡:實現射頻功率的高效耦合,確保等離子體穩定運行
等離子體監測:實時監控等離子體狀態,確保工藝重複性
擋板控製:手動或自動擋板可選,精確控製工藝時序
3. 硬件配置
放電管:耐腐蝕、高透光率設計,便於等離子體觀察與診斷
緊湊設計:占用空間小,易於集成到現有真空係統
高效冷卻:冷卻水流量要求低,降低係統運行成本
氣體控製:高精度質量流量控製器,實現氣體流速的精確調控
4. 工藝優勢
低損傷處理:軟等離子體特性,適合敏感器件和材料
高活性粒子濃度:提高反應效率,降低工藝溫度
均勻性好:大麵積均勻等離子體,適合批量生產
操作簡便:全自動或手動控製模式可選
我司的等離子體源與電子束蒸發源組合為各類薄膜沉積與表麵處理應用提供了靈活、高效且可靠的解決方案,特別適用於對薄膜質量和工藝控製有嚴苛要求的應用。
我司提供等離子體源是通過將氣體分離來產生感應耦合等離子體,包括氮氣,氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個射頻線圈(頻率13.56MHz),能量將轉化為等離子體,這會產生具有較低離子能量的”軟”等離子體。電子束蒸發源是由高質量,完全與高真空兼容材料構成,並且可以烘烤至250℃。
| 應用領域 | 典型工藝 | 適用氣體 |
|---|---|---|
| 氧化物沉積 | Al₂O₃, SiO₂, TiO₂ 等 | O₂, O₂/Ar 混合氣 |
| 氮化物沉積 | Si₃N₄, TiN, AlN 等 | N₂, N₂/Ar 混合氣 |
| 摻雜工藝 | 半導體摻雜、表麵改性 | H₂, B₂H₆, PH₃ 等 |
| 表麵處理 | 清洗、活化、刻蝕 | O₂, H₂, Ar 等 |
配置參數:
多種型號不同功率RF等粒離子體源可選;
在等離子體源終端位置可添加離子束加熱器;
自動匹配網絡;
等粒子體監測;
手動/自動 擋板;
放電管;
適用氣體,如O2, N2, H2, CH4等;
占用空間小;
冷卻水流量低;
氣體流速可控。
特點與優勢:
1. 等離子體源選項
多種功率型號:不同功率的RF等離子體源可選,滿足從研發到生產的各類需求
離子束加熱器:可在等離子體源終端位置加裝,提升基片溫度控製能力
2. 控製係統
自動匹配網絡:實現射頻功率的高效耦合,確保等離子體穩定運行
等離子體監測:實時監控等離子體狀態,確保工藝重複性
擋板控製:手動或自動擋板可選,精確控製工藝時序
3. 硬件配置
放電管:耐腐蝕、高透光率設計,便於等離子體觀察與診斷
緊湊設計:占用空間小,易於集成到現有真空係統
高效冷卻:冷卻水流量要求低,降低係統運行成本
氣體控製:高精度質量流量控製器,實現氣體流速的精確調控
4. 工藝優勢
低損傷處理:軟等離子體特性,適合敏感器件和材料
高活性粒子濃度:提高反應效率,降低工藝溫度
均勻性好:大麵積均勻等離子體,適合批量生產
操作簡便:全自動或手動控製模式可選
我司的等離子體源與電子束蒸發源組合為各類薄膜沉積與表麵處理應用提供了靈活、高效且可靠的解決方案,特別適用於對薄膜質量和工藝控製有嚴苛要求的應用。
