合金納米顆粒UHV沉(chen)積(ji)源(yuan)是(shi)納(na)米(mi)顆(ke)粒(li)沉(chen)積(ji)源(yuan)
，可(ke)在(zai)超(chao)高(gao)真(zhen)空(kong)中(zhong)將(jiang)純(chun)納(na)米(mi)顆(ke)粒(li)和(he)合(he)金(jin)納(na)米(mi)顆(ke)粒(li)沉(chen)積(ji)到(dao)樣(yang)品(pin)上(shang)，從(cong)而(er)形(xing)成(cheng)功(gong)能(neng)性(xing)塗(tu)層(ceng)。此(ci)外(wai)
，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)精(jing)確(que)控(kong)製(zhi)納(na)米(mi)顆(ke)粒(li)的(de)大(da)小(xiao)
、組成和結構來定製納米顆粒塗層的性能。此外，還提供以下源：單個 1英寸源（NL-D1）、一個 2 英寸源 （NL-D2） 或三個 1 英寸源（NL-D3）。我們可以將這些源集成到您現有的 PVD 係統中
，或將它們集成到我們定製的 真空係統中。

主要特點

• 沉積純合金、無碳氫化合物、非團聚的納米顆粒。

• 實現亞單層或高孔隙率 3-D 納米塗層。

• NL-D3 可同時使用兩種或三種材料沉積多達三種材料，無論是單獨沉積還是合金材料。

• 所有源均與 DC 和 Pulsed DC 電源兼容。

• 通過調整各種工藝參數（如氣體流量、氣體類型、磁控管功率和聚集長度 （Lg））或改變聚集區孔徑的大小
  ，來控製納米顆粒塗層
  

        的性能。

使用四極杆質譜儀控製納米粒徑

 質量過濾器能夠按質量或直徑實時掃描或過濾沉積的納米顆粒，從而促進生長條件的優化。

突出

⇒ 在 1 – 20 nm 範圍內調整納米粒徑分布。

⇒ 將納米塗層層密度從亞單層修改為 3D 納米多孔覆蓋，促進塗層從鬆散結合到緊密粘附。

⇒ 管理納米顆粒的形狀和結構
，從結晶形式過渡到無定形形式。

⇒ 對飛行中的納米顆粒進行質譜分析，範圍為 100 – 106AMU 的。

⇒ 實現納米顆粒粒度過濾
，質量分辨率精度為 +/-2%。

控製軟件

通過簡單且用戶友好的 Windows™ 軟件界麵進行操作。

突出

選擇