紅外晶圓檢測顯微鏡

紅外光晶片檢測顯微鏡 矽(gui)對(dui)紅(hong)外(wai)光(guang)是(shi)透(tou)明(ming)的(de)。我(wo)們(men)的(de)紅(hong)外(wai)光(guang)晶(jing)片(pian)檢(jian)測(ce)顯(xian)微(wei)鏡(jing)從(cong)背(bei)麵(mian)照(zhao)亮(liang)矽(gui)基(ji)板(ban)，並(bing)捕(bu)獲(huo)滲(shen)透(tou)到(dao)基(ji)板(ban)中(zhong)的(de)光(guang)。因(yin)此(ci)
，可(ke)以(yi)檢(jian)查(zha)矽(gui)基(ji)板(ban)內(nei)部(bu)的(de)現(xian)象(xiang)，這(zhe)些(xie)現(xian)象(xiang)在(zai)傳(chuan)統(tong)顯(xian)微(wei)鏡(jing)下(xia)是(shi)不(bu)可(ke)見(jian)的(de)。 顯微鏡配備了一個

長工作距離物鏡。三步變焦允許用戶選擇正確的視野和放大倍數。紅外感應攝像頭通過USB在您的計算機上顯示被檢查設備的圖像。5倍物鏡的分辨率優於3µm。 此外，還提供頂部照明。這允許在傳統模式下使用顯微鏡

並檢查晶片的頂麵。 紅外顯微鏡配備了一個xy工作台，可容納8英寸或更小的晶片。該工作台由電機驅動，可以用操縱杆控製。對於實驗室環境，紅外顯微鏡可以配備一個經濟高效的手動XY平移台，而不是全自動設備。

矽片是集成電路（IC）和微機電係統（MEMS）製造中使用的重要部件。在紅外（IR）範圍內看穿這種半導體材料的能力有利於製造過程的質量控製。

我們的紅外晶圓檢測顯微鏡（IR-M）配備了長工作距離物鏡。3步變焦允許用戶選擇合適的視場和放大倍數。紅外敏感相機在計算機上顯示被檢樣品的圖像（通過USB 3.0通信）。使用5倍物鏡

，分辨率優於3μm。此外，還提供頂部照明。這使得顯微鏡可以在傳統式下使用，並檢查晶片的頂麵。紅外顯微鏡配備了一個xy工作台
，可容納Ø200mm（8英寸）或更小的晶片。可選地，xy工作台可以由電機驅動，

以便通過圖形用戶界麵（GUI）和/或操縱杆進行方便的控製。

IR-M可用於半導體和MEMS器件檢測：

通過透射成像觀察矽片（即微結構晶片）

太陽能電池的功率效率檢查

以下圖像是用IR-M成像顯微鏡拍攝的。他們展示了一種微結構絕緣體上矽（SOI）晶片。圖像顯示了具有頂側照明（可見光譜）
的經典顯微鏡圖像。第二張圖像是用紅外照明（IR透射模式）拍攝的
，顯示了基底層和器件層之間的埋入氧化矽（SiO2）。

在IR-M紅外顯微鏡下觀察到的矽MEMS器件——此圖顯示了紅外顯微照片（透射模式）和在不可見光下觀察的疊加圖片（反射模式）。

典型應用領域

IR-M顯微鏡是半導體產業鏈中從研發到質控的關鍵工具，主要應用於：

• 集成電路（IC）與MEMS製造：

• 矽片內部缺陷檢測：觀測晶體缺陷、微裂紋、應力分布。

• SOI（絕緣體上矽）晶片分析：清晰呈現埋入的氧化矽層（BOX） 的均勻性、完整性及其與上下矽層的界麵情況。

• 工藝監控：檢查深刻蝕、矽通孔（TSV）
  、鍵合等工藝的內部質量。

• 太陽能光伏行業：

• 太陽能電池效率檢查：觀測矽片內部的雜質
  、晶界、位錯等影響光電轉換效率的缺陷。

• 研發與失效分析：

• 器件結構驗證：無損觀察封裝內部或芯片的疊層結構。

• 故障定位：輔助定位因內部短路、斷路或異物導致的器件失效。

IR-M紅外光晶片檢測顯微鏡通過其獨有的檢測內部的能力
，將檢測維度從表麵延伸至材料內部
，解決了半導體及MEMS行業對內部質量無損檢測的迫切需求。其雙模式成像
、高分辨率、靈活的操作配置等特點，使其成為提升產品良率
、加速工藝開發、進行深度失效分析的強大且可靠的理想工具。