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俄歇電子能譜及低能電子衍射分析係統,又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表麵深度分析係統。基於俄歇電子能譜AES、低能電子衍射LEED、及氬離子濺射深度分布的分析係統,完成對薄膜及合金的元素
組成和深度分布的分析。非接觸式測量薄膜及合金元素組成,帶樣品預抽真空室 (load-lock腔室)。
特性:
對原子結構,元素組成和厚度分析達到“亞納米級”精度
大範圍樣品分析
半自動化操作
係統特性:
俄歇電子能譜AES分析器
分析器型號-延遲型區域分析器,自帶同軸電子
能量分辨率:<5%
工作距離 10mm
檢測器: 1e7至1e8增幅範圍的電子倍增器通道
安裝法蘭-4.5英寸O.D.標準CF法蘭(NW63CF)
電子:
型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
束流電壓:0-3KV
束流電流:50uA
束流直徑:800um
燈絲:鎢燈絲
磁罩:帶前置保護殼的Mu罩
深度離子濺射:
離子源 在磁場內電子衝擊形成離子
離子化陰極 鎢-錸燈絲
直接安裝於70mmO.D.CF法蘭
束流電流:10 uA
束流能量:0-3keV
束流尺寸;直徑範圍5至25mm
束流均勻度:<5%
氣體輸入:經過泄漏閥氣體直接輸入至離子源
安裝法蘭:23/4英寸(70mm)O.D.CF法蘭
樣品傳遞操作:
樣品尺寸:尺寸從10mm-20mm
樣品置入:單個樣品置入
樣品傳輸:線型磁動樣品傳輸臂
真空係統:
腔體:100mm焊接超高真空腔體(304不鏽鋼)
真空泵:60L/sec離子泵和50l/sec的分子泵,配備匹配的前級泵
真空規:寬量程真空規
真空兼容:超高真空材料
烘烤:真空下可烘烤至250度
這套AES-LEED係統是表麵科學與工程領域的“手術刀”。它通過對材料進行元素、結構、深度的逐層精細分析,為理解材料的表麵行為、優化薄膜工藝、解決器件失效等問題,提供了在原子層麵上無可替代的實驗證據。
俄歇電子能譜及低能電子衍射分析係統,又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表麵深度分析係統。基於俄歇電子能譜AES、低能電子衍射LEED、及氬離子濺射深度分布的分析係統,完成對薄膜及合金的元素
組成和深度分布的分析。非接觸式測量薄膜及合金元素組成,帶樣品預抽真空室 (load-lock腔室)。
特性:
對原子結構,元素組成和厚度分析達到“亞納米級”精度
大範圍樣品分析
半自動化操作
係統特性:
俄歇電子能譜AES分析器
分析器型號-延遲型區域分析器,自帶同軸電子
能量分辨率:<5%
工作距離 10mm
檢測器: 1e7至1e8增幅範圍的電子倍增器通道
安裝法蘭-4.5英寸O.D.標準CF法蘭(NW63CF)
電子:
型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
束流電壓:0-3KV
束流電流:50uA
束流直徑:800um
燈絲:鎢燈絲
磁罩:帶前置保護殼的Mu罩
深度離子濺射:
離子源 在磁場內電子衝擊形成離子
離子化陰極 鎢-錸燈絲
直接安裝於70mmO.D.CF法蘭
束流電流:10 uA
束流能量:0-3keV
束流尺寸;直徑範圍5至25mm
束流均勻度:<5%
氣體輸入:經過泄漏閥氣體直接輸入至離子源
安裝法蘭:23/4英寸(70mm)O.D.CF法蘭
樣品傳遞操作:
樣品尺寸:尺寸從10mm-20mm
樣品置入:單個樣品置入
樣品傳輸:線型磁動樣品傳輸臂
真空係統:
腔體:100mm焊接超高真空腔體(304不鏽鋼)
真空泵:60L/sec離子泵和50l/sec的分子泵,配備匹配的前級泵
真空規:寬量程真空規
真空兼容:超高真空材料
烘烤:真空下可烘烤至250度
這套AES-LEED係統是表麵科學與工程領域的“手術刀”。它通過對材料進行元素、結構、深度的逐層精細分析,為理解材料的表麵行為、優化薄膜工藝、解決器件失效等問題,提供了在原子層麵上無可替代的實驗證據。
