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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD)
我們提供了一套完整的MOCVD，主要產品包括台式研發型、中zhong試shi型xing和he生sheng產chan型xing。其qi反fan應ying器qi的de設she計ji可ke以yi根gen據ju工gong藝yi的de需xu要yao很hen容rong易yi提ti升sheng到dao滿man足zu大da直zhi徑jing晶jing片pian生sheng產chan的de需xu要yao。我wo們men也ye能neng為wei客ke戶hu設she計ji以yi滿man足zu客ke戶hu特te殊shu工gong藝yi和he應ying用yong的de需xu要yao。
係統部件包括：反應器、氣體傳輸係統、電氣控製係統和尾氣處理係統.
應用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半導體等。
提供適用不同材料研究需要的反應器：
透明導體氧化物（TCO）應用於LCD、太陽能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方麵包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD係統；
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD係統；
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應用於柵極、介電層、鐵電、高頻設備、鈍化、保護層等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD係統；
波導, 光電, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統；
其他材料如：超導、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統；
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...；
半導體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...；
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...；
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...；
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…；
超導材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …；
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...；
金屬:Pt, Cu,...；
巨磁阻材料...；
熱塗層, 阻擋層, 機械塗層, 光學材料...。
我們提供了從桌麵型反應器（針對研究和提高的需要）daozidonghuashengchanxitong。chuyucailiaobianhuazhongleideshiyingxinghejingjijiagedekaolv，duirenheyanjiurenyuanlaishuozhuomianxingfanyingqishigengheshidexuanze，erqieyejirongyishengjiweiliangchanxing。
科研型MOCVD設備，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設備及使用成本、更少的前驅體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質！
-非常適合高校及研究所科研使用！
儀器參數：
1/ 1~4英寸MOCVD係統；
2/ 專為滿足科研單位需求而設計；
3/ MOCVD係統可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MOCVD配有前驅體直接處理單元，可在大範圍內使用MO源，用於外延材料的研發和製備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱係統可實現在線退火工藝；
性能及特點：
1， 溫度範圍: 室溫至1200°C ；
2， 帶質量流量控製器的氣體混合性能；
3， 真空範圍: ~ 10-3 Torr，可選配高真空；
4， 選配手套箱；
5， 已被客戶普遍接受
6， 堅固耐用
7， 可靠性高
8， 良好的可重複性
9， 經濟適用
金屬有機化合物化學氣相沉積
金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD)
我們提供了一套完整的MOCVD，主要產品包括台式研發型、中zhong試shi型xing和he生sheng產chan型xing。其qi反fan應ying器qi的de設she計ji可ke以yi根gen據ju工gong藝yi的de需xu要yao很hen容rong易yi提ti升sheng到dao滿man足zu大da直zhi徑jing晶jing片pian生sheng產chan的de需xu要yao。我wo們men也ye能neng為wei客ke戶hu設she計ji以yi滿man足zu客ke戶hu特te殊shu工gong藝yi和he應ying用yong的de需xu要yao。
係統部件包括：反應器、氣體傳輸係統、電氣控製係統和尾氣處理係統.
應用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半導體等。
提供適用不同材料研究需要的反應器：
透明導體氧化物（TCO）應用於LCD、太陽能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方麵包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD係統；
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD係統；
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應用於柵極、介電層、鐵電、高頻設備、鈍化、保護層等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD係統；
波導, 光電, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統；
其他材料如：超導、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統；
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...；
半導體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...；
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...；
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...；
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…；
超導材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …；
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...；
金屬:Pt, Cu,...；
巨磁阻材料...；
熱塗層, 阻擋層, 機械塗層, 光學材料...。
我們提供了從桌麵型反應器（針對研究和提高的需要）daozidonghuashengchanxitong。chuyucailiaobianhuazhongleideshiyingxinghejingjijiagedekaolv，duirenheyanjiurenyuanlaishuozhuomianxingfanyingqishigengheshidexuanze，erqieyejirongyishengjiweiliangchanxing。
科研型MOCVD設備，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設備及使用成本、更少的前驅體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質！
-非常適合高校及研究所科研使用！
儀器參數：
1/ 1~4英寸MOCVD係統；
2/ 專為滿足科研單位需求而設計；
3/ MOCVD係統可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MOCVD配有前驅體直接處理單元，可在大範圍內使用MO源，用於外延材料的研發和製備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱係統可實現在線退火工藝；
性能及特點：
1， 溫度範圍: 室溫至1200°C ；
2， 帶質量流量控製器的氣體混合性能；
3， 真空範圍: ~ 10-3 Torr，可選配高真空；
4， 選配手套箱；
5， 已被客戶普遍接受
6， 堅固耐用
7， 可靠性高
8， 良好的可重複性
9， 經濟適用
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