等離子體增強化學氣相沉積係統

PECVD：是(shi)借(jie)助(zhu)微(wei)波(bo)或(huo)射(she)頻(pin)等(deng)使(shi)含(han)有(you)薄(bo)膜(mo)組(zu)成(cheng)原(yuan)子(zi)的(de)氣(qi)體(ti)電(dian)離(li)
，在(zai)局(ju)部(bu)形(xing)成(cheng)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)，而(er)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)化(hua)學(xue)活(huo)性(xing)很(hen)強(qiang)，很(hen)容(rong)易(yi)發(fa)生(sheng)反(fan)應(ying)，在(zai)基(ji)片(pian)上(shang)沉(chen)積(ji)出(chu)所(suo)期(qi)望(wang)的(de)薄(bo)膜(mo)。為(wei)了(le)使(shi)化(hua)學(xue)反(fan)應(ying)能(neng)在(zai)較(jiao)低(di)的(de)溫(wen)度(du)下(xia)進(jin)行(xing)，利(li)用(yong)了(le)等(deng)離(li)子(zi)

體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

我司按照客戶不同的應用需求
，提供高質量的PECVD滿足不同的研究生產需求。

我司提供的PECVD係統可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。更大沉積尺寸為12英寸。

通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應源產生等粒子體。

部分PECVD可以升級到PECVD & 反應離子蝕刻雙功能係統(帶ICP源)。

係統參數：

腔體極限真空度:10-7 torr
；

等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度等離子體源（HCD）、感應耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源, VHF（甚高頻）電源

襯體直徑:更大12” (300 mm)直徑

帶RF偏壓的襯底托；

加熱溫度:更高800°C；

更高可達8路MFC和多樣化的氣體選擇；

均勻性：≤±3%
；

預抽真空室和自動晶片裝卸門；

全自動控製；

應用領域：

等離子誘導表麵改性；

等離子清洗；

等離子聚合；

SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜；

碳納米管(CNT)的選擇性生長。