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金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)
我們提供了一套完整的MOCVD,主要產品包括台式研發型、中zhong試shi型xing和he生sheng產chan型xing。其qi反fan應ying器qi的de設she計ji可ke以yi根gen據ju工gong藝yi的de需xu要yao很hen容rong易yi提ti升sheng到dao滿man足zu大da直zhi徑jing晶jing片pian生sheng產chan的de需xu要yao。我wo們men也ye能neng為wei客ke戶hu設she計ji以yi滿man足zu客ke戶hu特te殊shu工gong藝yi和he應ying用yong的de需xu要yao。係xi統tong部bu件jian包bao括kuo:反應器、氣體傳輸係統、電氣控製係統和尾氣處理係統.
應用方向:氧化物、氮化物、碳化物、硫族(元素)化物、半導體等。
提供適用不同材料研究需要的反應器:
透明導體氧化物(TCO)應用於LCD、太陽能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方麵包括:P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD係統;
MEMS & MOEMs包括:PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2,SiO2,PbMgO, CMO,Ta2O5等MOCVD係統;
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應用於柵極、介電層、鐵電、高頻設備、鈍化、保護層等,包括:BST,PZT, SBT, CMO, BLT,Hf(Si)O, Ta2O5,,Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD係統;
波導, 光電, WDMs. MOEMS 等材料,包括:YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN,SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統;
其他材料如:超導、氮化物、氧化物、磁性材料、包括:YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN,SiC, Al, W, Cn等MOCVD係統;
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...;
半導體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...;
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...;
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...;
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…;
超導材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …;
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...;
金屬:Pt, Cu,...;
巨磁阻材料...;
熱塗層, 阻擋層, 機械塗層, 光學材料...。
我們提供了從桌麵型反應器(針對研究和提高的需要)到(dao)自(zi)動(dong)化(hua)生(sheng)產(chan)係(xi)統(tong)。出(chu)於(yu)材(cai)料(liao)變(bian)化(hua)種(zhong)類(lei)的(de)適(shi)應(ying)性(xing)和(he)經(jing)濟(ji)價(jia)格(ge)的(de)考(kao)慮(lv),對(dui)任(ren)何(he)研(yan)究(jiu)人(ren)員(yuan)來(lai)說(shuo)桌(zhuo)麵(mian)型(xing)反(fan)應(ying)器(qi)是(shi)更(geng)合(he)適(shi)的(de)選(xuan)擇(ze),而(er)且(qie)也(ye)極(ji)容(rong)易(yi)升(sheng)級(ji)為(wei)量(liang)產(chan)型(xing)。
科研型MOCVD設備,包含液體直接注入ALD工藝,同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設備及使用成本、更少的前驅體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質!
-非常適合高校及研究所科研使用!
儀器參數:
1/ 1~4英寸MOCVD係統;
2/ 專為滿足科研單位需求而設計;
3/ MOCVD係統可在不同基底上,以MOCVD方式,在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層;
4/ MOCVD配有前驅體直接處理單元,可在大範圍內使用MO源,用於外延材料的研發和製備;
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱係統可實現在線退火工藝;
性能及特點:
1, 溫度範圍: 室溫至1200°C ;
2, 帶質量流量控製器的氣體混合性能;
3, 真空範圍: ~ 10-3 Torr,可選配高真空;
4, 選配手套箱;
5, 已被客戶普遍接受
6, 堅固耐用
7, 可靠性高
8, 良好的可重複性
9, 經濟適用
